Samsung inicia la producción de chips con tecnología de proceso de 3nm 3q3855

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La marca de tecnología global Samsung ha anunciado el comienzo de la producción de chips de 3 nanómetros (nm). 

El proceso utiliza la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA) y produce chips con eficiencia energética y rendimiento mejorado. Samsung también está desarrollando un nodo de proceso de 3nm de segunda generación que ofrecería mejoras significativas en varias áreas.

Samsung dice que el proceso de 3nm usa un 45% menos de energía, mejora el rendimiento en un 23% y usa un 16% menos de superficie que un proceso de 5nn. El nodo de proceso incorpora una arquitectura de transistores GAA con canales más grandes en las puertas para que la electricidad fluya a un nivel de voltaje más bajo. Esto se debe a la utilización de los cuatro lados de los canales, a diferencia de la arquitectura FinFET.

La adaptabilidad del nodo de proceso de 3 nm significa que el ancho del canal se puede modificar para satisfacer las demandas específicas del cliente. Este hito en el desarrollo de chips de 3nm le da a Samsung un impulso en el mercado. Samsung es la segunda fundición más grande del mundo. Sin embargo, es el fabricante de chips elegido y tiene la mayor base de contratos a nivel mundial. TSMC, la fundición más grande, se está preparando para comenzar la producción en masa utilizando su propio nodo de proceso de 3 nm.

Los socios de Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) han jugado un papel importante para ayudar a Samsung a alcanzar el hito de los chips de 3 nm. Estos incluyen Ansys, Cadence, Siemens y Synopsys. Samsung ampliará en el futuro la aplicabilidad del nodo de proceso de 3 nm a las U móviles. Samsung guarda silencio sobre la identidad del OEM que se están fabricando los chips 3nn. Los primeros dispositivos móviles que utilizan chips de 3nm se esperan para 2023.